技术编号:33968946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及表面具有导电层的光伏电池。背景技术.目前,表面具有导电层的光伏电池主要有异质结电池和钙钛矿电池。.其中异质结太阳电池(heterojunction solar cell,hjt)是一种基于光伏效应的太阳能电池,其p-n结是由非晶硅(α-si)和晶体硅(c-si)构成,其中非晶硅又包括本征非晶硅(i型)和掺杂非晶硅(p,n型)。异质结太阳能电池以其转换效率高、结构简单、光致衰减和温度系数低、开路电压高、制备工艺路线较perc电池少等优点,成为最有潜力...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。