技术编号：33999400
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体器件及其制备方法。背景技术.随着半导体技术的发展，电子设备向着体积逐渐减小而效率相应提高的方向发展，沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, 简称mosfet或mos）技术正是在这样的背景下发展起来的。沟槽mos管因其具有垂直结构，具备开关速度快、温度特性好、频率性能好、输入阻抗高、驱动功率小、无二次击穿问题等优点，可广泛应用在电源管理模块、稳压器、...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。