技术编号：34032420
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及一种在制造半导体元件的工艺中能够调节金属氮化膜对金属膜的蚀刻选择比的组合物及利用该组合物的蚀刻方法。特别是，涉及一种能够调节氮化钛膜对钨膜的蚀刻选择比的蚀刻液组合物及利用该组合物的蚀刻方法。背景技术.在半导体制造工艺中，钨膜用于半导体器件和液晶显示器的薄膜晶体管的栅电极、布线、阻挡层或接触孔或通孔的填充等。.此外，氮化钛膜用作打印机布线基板、半导体器件及液晶显示器等的贵金属或铝、铜布线的基层和覆盖层，有时也用作阻挡层金属或栅极金属。.在半导体制造工艺中，所述钨膜作为导电金属而...
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