技术编号：34039981
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种用于清洁刻蚀设备的掩模版以及刻蚀设备的清洁方法。背景技术.干法刻蚀工艺过程，光刻胶和铬层被刻蚀容易产生副产物，此类副产物吸附或悬浮在腔体内容易形成二次污染，引起产品缺陷异常。而将设备停机后，由专业的技术人员对设备腔体进行手动清洁，开腔清洁内部组件和腔体内壁，会造成设备停机问题，消耗大量时间，影响工厂的产品流通。.在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。