技术编号：3404212
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及陶瓷梯度材料的制备，更确切地说涉及碳硅化钛(Ti3SiC2)基梯度材料及原位反应制备的方法。背景技术 碳硅化钛(Ti3SiC2)材料兼有陶瓷—金属的一些优异而独特的性能，例如电导率为金属Ti的2倍，且具有较高的热导率，直到1100℃还可以具有足够的抗氧化能力。Ti3SiC2晶粒趋向形成独特的层状结构区，并且常温下可能发生晶粒拔出、晶粒推移和微塑性变形等能量吸收机制而具有较高的韧性，一般为8-16MPa·m1/2。Ti3SiC2体材料室温抗弯强度为...
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