技术编号：3405493
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及为辐射检测器和光伏应用制备半导体膜的薄膜的方 法和装置。背景技术太阳能电池是直接将太阳光转换成电力的光伏器件。最常见的太 阳能电池材料是单晶或多晶晶片形式的硅。但是，利用基于硅的太阳 能电池发电的成本高于通过较传统的方法发电的成本。因此，自从20 世纪70年代早期以来，人们致力于降低在陆地上使用太阳能电池的 成本。降低太阳能电池成本的一种方式是开发可以在大面积衬底上沉 积太阳能电池品质吸收材料的低成本薄膜生长技术，和利用高吞吐 量、低成本方法制造...
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