技术编号：34058912
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体器件制备技术领域，尤其涉及一种电子束光刻方法和半导体器件。背景技术.电子束光刻技术在微纳加工领域广泛应用。随着图形尺寸越来越小，电子束邻近效应越来越严重，导致光刻出的图形发生失真。电子束邻近效应主要是入射电子和光刻胶原子发生前向散射，以及和衬底原子发生背向散射，造成入射的电子能量无法局域在入射点，而是在光刻胶里存在横向分布，使版图能量分布不均匀且在图形之外存在能量分布。现有技术中，有通过辅助图形曝光来调制版图上器件区的能量分布，以达到修正能量沉积的目的，但是，现有的利用辅助...
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