技术编号：34068404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。用于宽电源电压范围的半导体器件结构.缩略语列表.dmosꢀꢀꢀꢀ双扩散金属氧化物半导体.epiꢀꢀꢀꢀꢀ外延.gndꢀꢀꢀꢀꢀ接地.i/oꢀꢀꢀꢀꢀ输入/输出.icꢀꢀꢀꢀꢀꢀ集成电路.isoꢀꢀꢀꢀꢀ隔离.hvmosꢀꢀꢀ高电压金属氧化物半导体.hvnꢀꢀꢀꢀꢀ高电压nmos.hvnwꢀꢀꢀꢀ高电压n阱.hvpꢀꢀꢀꢀꢀ高电压pmos.hvpwꢀꢀꢀꢀ高电压p阱.ldmosꢀꢀꢀ横向扩散的金属氧化物半导体.mosfetꢀꢀ金属氧化物半导体场效应晶体管....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。