技术编号:34070493
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种金属掩膜版原材及加工工艺。背景技术.例如在有机电致发光(electro-luminescence,el)显示器的制作中,为了对基板进行蒸镀以生成彩色图案(colorpatterning),而使用金属掩模。现有技术中,一般使用fe-ni合金的薄板作为金属掩膜的基材,但若在所述fe-ni合金的薄板中大量氧化物,使得蚀刻的进程变得不均匀,从而导致蚀刻精度受损。例如公开号为krb的韩国专利,其包含较多mno-sio类型氧化物,熔点低、质地...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。