技术编号：34121462
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体生产技术领域，具体涉及到一种用于生产金锡薄膜热沉的工艺。背景技术.目前，随着半导体技术发展，器件尺寸越来越小，单位面积的发热量却越来越高，而芯片工作温度过高，会严重影响器件的功能及可靠性寿命，如何提高器件的散热效率成为一项关键技术，热沉，在工业上是指一种散热装置。目前在大功率光电器件的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。热沉通常由铜和铝这类高功率材料组成。但是铜和铝的tce很高，和硅芯片的tce不匹配，所以其他匹配的tec的材料被应用在制作热沉，比如氮化铝片...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。