技术编号：3414464
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜制备工艺，尤其涉及一种用于改善薄膜制备工艺的匀气>J-U ρ α装直。背景技术薄膜制备工艺是半导体制造工艺中的重要组成部分，一般分为物理成膜、化学成膜，以及物理与化学复合的制膜技术。其中，物理方法中的反应离子束溅射沉积以及化学制膜方法中的所有化学气相沉积方法，如LPCVD、PECVD等，都需要向反应系统中通入相应的反应气体。目前采用的方法有通过真空腔壁向整个反应腔体中供气；使用气管将反应气体输送到指定位置；将放电极板做成筛板状供气。这些...
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