技术编号:34154495
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体制造技术,特别是涉及一种高压金属栅极器件的制造方法。背景技术.从nm节点向下,高性能工艺会采用hk(高介电常数)介质搭配金属栅极来提高器件性能,金属栅极工艺中不可避免需要使用金属的cmp(chemical mechanical polishing,化学机械抛光)工艺,金属cmp工艺中,大块图形不可避免会出现dishing(碟形下凹),所以栅极的尺寸不能设计得太大,但对高压器件(操作电压v~v)来说,不可避免的需要比较大的栅极尺寸来承担高电压操作,这样就会造成大块金...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。