技术编号：34175861
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及硅片沉积领域，具体涉及一种改善卡点印的硅片表面沉积工艺。背景技术.随着perc逐年增产需求，对应氧化铝增大产量的方式也在优化，目前多数都是用管式笑气(一氧化氮)和三甲基铝(tma)进行反应形成氧化铝，授权公告号为cnb的专利就是采用此种方式生成氧化铝。.石墨舟卡点位置温度由于焦耳效应，卡点位置温度高于硅片中心区域温度，此位置沉积速率发生改变，发生卡点下点位el发黑情况，因此，亟需开发一种新的硅片表面沉积工艺，以解决卡点下点位el发黑情况。发明内容.本发明要解...
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