技术编号：3418408
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例一般涉及半导体制造中使用的真空吸盘，更具体地涉 及具有改善热分布的真空吸附加热器。背景技术亚大气压化学气相沉积(SACVD)处理在降低(或亚大气)压力下执 行。降低压力能够减少不需要的气相反应，由此改善晶片上的膜均匀性。 许多传统SACVD处理为膜和/或涂层提供高纯度和均匀性以及保形步骤的 覆盖度。但是，在某些应用中，已经发现，传统SACVD处理可能会不期望地 展现沉积膜的较高厚度不均匀，由此降低质量和产量。据信，这样厚度不 均匀性至少部分是...
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