技术编号:34184102
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体生产领域,尤其涉及一种接触孔制备方法、半导体结构及电子设备。背景技术.动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)制程工艺进入nm以后,增加了半导体制程的工艺集成度,缩小器件尺寸的难度越来越高。随着半导体集成电路器件技术的不断发展,线宽逐渐减小,dram中的存储电容的高度不断增大,这样需将一些接触孔做得比较深,然而,高深宽比的接触孔的制程窗口比较窄,若接触孔的尺寸太大易导致短路,若接触孔的尺寸太小则易引起刻蚀不足的风险。发明内...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。