技术编号:34219292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体装置及电力变换装置。背景技术.在专利文献中公开了能够双向地流过电流的半导体装置即rc-igbt(reverse-conducting insulated gate bipolar transistor)。.专利文献:日本特开-号公报.在现有的rc-igbt中,fwd(free wheeling diode)元件的正向电流-正向电压特性根据栅极信号的有无而产生变化,与此相对,fwd感测元件的正向电流-正向电压特性并不怎么根据栅极信号的有无而变化,因此...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。