技术编号：3422871
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造装置的反应炉，特别是涉及大面积的III-V族化合物半导体制造用的水平反应炉。现有技术满足计算机、通信、多媒体等未来信息领域所必须的高速化、大容量化、广域化、个人化、智能化、图像化的化合物半导体元件，大部分是通过取向生长法制造的。化合物半导体可以用作显示器用的发光二极管(LED)、光通信、CD/VD(激光唱片/录像盘)用的LD(激光唱片)、受光元件、高速计算机用元件、卫星通讯用元件等，可以推测今后可以用于移动通讯、高密度ODD(光学数字显...
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