技术编号:34229917
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。nor闪存阵列的制作方法技术领域.本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种nor闪存阵列的制作方法。背景技术.闪存(flash memory)是一种非易失性(或非挥发性,nonvolatile)的半导体存储芯片,其在断电情况下仍能保持所存储的数据信息。而且,闪存具有体积小、功耗低、不易受物理破坏的优点,因而得到了广泛的应用。传统nor闪存阵列有t(‑ꢀtransistor,单晶体管)结构、t(‑ꢀtransistor,双晶体管)结构或是分离栅(split gate)结构。t结构虽...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。