技术编号：34236031

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.本发明涉及半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法。背景技术.作为可实现高耐压、低损失及高耐热的新一代开关元件，使用带隙(band gap)大的氧化镓(gao)的半导体元件受到关注，其被期待适用于逆变器(inverter)等电力用半导体装置。.特别是刚玉(corundum)型α-gao金属氧化物能够进行使用了相对廉价的蓝宝石基体的外延生长(epitaxial growth)，进一步能够适用喷雾cvd(化学气相沉积)法(专利文献)或hvpe(hydride vapor ph...
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