技术编号：3426537
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备薄膜材料的CVD材料生长设备的衬底材料装样、取样、转移方法的优化设计，通过全程对衬底材料采用氮气等气氛保护的方法实现衬底材料在进、出CVD材料生长设备的腔体或衬底材料在不同反应腔体之间转移的过程中免受大气环境可能造成的沾污。背景技术用于薄膜材料的外延生长方法包括化学气相淀积(CVD)、电子回旋共振等离子化学气相淀积(ECR-MPCVD)、液相外延生长(LPE)、气相外延生长(VPE)、分子束外延生长(MBE)等。其中CVD生长技术属最为常用的...
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