技术编号：34268615
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及等离子体处理方法。背景技术.近年来，集成电路等半导体制造的细微化正在推进，将产品蚀刻时的要求变得严格。特别是，附着在晶圆上的异物、污染使成品率显著降低。因此，异物、污染的减少技术的开发正在推进。特别是，在异物、污染的原因存在于处理室内部件的情况下，向处理室内部件形成堆积膜对于异物、污染的减少具有效果。.在专利文献中，提出了包括利用氧气体的等离子体将处理室内的残留膜去除的第一工序、以及使用氟化碳系气体或含有氟化碳系气体的混合气体的等离子体在处理室内壁面形成堆积膜的第二工序的处理...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。