技术编号:34268637
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件,还涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法,以及一种集成电路结构。背景技术.对于中压档n型横向扩散金属氧化物半导体(nldmos)器件,可以使用金属场极板(metal plate),悬空孔(floating source contact)、或者栅极场极板(gate plate)等方式进一步降低表面电场(resuf,reduce surface field),在相同rsp(比导通电阻)能力下实现bvoff(击穿电压)...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。