技术编号:3427403
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种将在晶片(wafer)上形成的膜控制在规定膜厚范围内、膜厚控制性优良的化学、机械抛光技术。在特许第3077656号公报中,公开了一种即使抛光速度变化,抛光量也不变化、并且不需要重新抛光,可以提高工艺处理能力的半导体制造装置的参数(recipe)修正方法。该公报所公开的方法,监视进行化学机械抛光的半导体制造装置的抛光速度,根据所监视的抛光速度和必要的抛光量来算出抛光时间,然后从工艺参数(recipe)选择表中选择与所算出的抛光时间相应的工艺参数...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。