技术编号：3429022
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的方法以及用于实施该方法的室本发明涉及在室中通过CVD("化学气相沉积")方法在半导体晶片上沉 积层的方法，包括将沉积气体从室的进气口，经过半导体晶片，输送到室 的出气口，其中通过在顶部受窗约束的通道输送沉积气体，该窗能透过热 辐射。用于通过CVD方法在半导体晶片上沉积层的室的典型结构举例来说见 述于US6,325,858B1。该室分成上半部和下半部。上半部用盖板封闭，也称 为上室。盖板包括形成盖板侧壁的基部和由石英组成的...
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