技术编号：34361761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种cmos结构的形成方法及cmos结构技术领域.本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种cmos结构的形成方法及cmos结构。背景技术.热载流子注入(hot carrier injection，hci)是mos器件的重要的失效机制，其是指在强电场下产生的高能载流子，即热载流子，注入栅氧化层，造成栅氧化层损伤和器件电性参数的退化。热载流子注入会引起mos器件电性参数，例如阈值电压(vt)、跨导(gm)、饱和漏电流(idsat)的退化，并产生可靠性问题。随着mos器件关键尺寸的持续缩小，即使在不...
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