技术编号：34364675
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种宽电压域sram读写时序控制电路及方法技术领域.本发明属于集成电路设计领域，更具体地，涉及一种宽电压域sram读写时序控制电路及方法。背景技术.静态随机存取存储器(sram)具有高读写速度，低功耗和较好的数据稳定性，被广泛应用于嵌入式设备中。图为现有技术中一种典型的sram写脉冲控制电路，当时钟上升沿到来时，如果使能信号和读写选择信号同时为低电平，写脉冲控制电路将产生一个写脉冲信号，经过一定的延时后，时钟信号产生写复位脉冲信号，使写脉冲信号失效。上述写脉冲控制电路通过写脉冲信号来控制s...
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