技术编号：34374011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种通过通孔刻蚀改善高阻区电阻的方法。背景技术.随着集成电路的日渐发展，对于开启电压有着越来越高的要求，而受限于集成电路结构及材质的限制，在栅极上做优化的空间已经不大，这时高阻工艺(tin)应运而生并起着分压的作用，可是随之带来的挑战是在通孔刻蚀时，由于高阻区域与其他区域存在高度差，导致高阻区域在通孔刻蚀时接触等离子体的时间过长，使tin表面受损粗糙，严重时甚至会击穿高阻区域，导致阻值异常，影响产品性能。发明内容.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目...
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