技术编号:34377511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于选通管器件技术领域,涉及一种选通管器件,具体涉及一种基于硅掺杂碲化锗的选通管器件及其制备方法。背景技术.近些年来,伴随着大数据、g通信、人工智能、云计算等高新技术的兴起,所需存储和读取的信息量也是不断增加,因此需要性能更加优良的存储器来满足这些新兴技术对数据存储的需求。目前商用的主流半导体存储器是浮栅结构的闪存(flash)存储器,然而近年来,浮栅闪存存储器除了在特征尺寸上有缩小之外,在其他方面并没有特别大的改进。当前的浮栅闪存存储器的特征尺寸已经缩小到了纳米级别,此时由于面临...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。