技术编号:34419736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及存储器领域,具体地说是一种基于铝钪氮的忆阻器、其制备方法及应用。背景技术.忆阻器,全称记忆电阻器(memristor)。它是表示磁通与电荷关系的电路器件。忆阻器具有电阻的量纲,但和电阻不同的是,忆阻器的阻值是由流经它的电荷确定。因此,通过测定忆阻器的阻值,便可知道流经它的电荷量,从而有记忆电荷的作用。忆阻器作为第四种基本电路元件,被广泛应用于信息存储、逻辑运算、神经网络、机器学习等众多领域,现今已经成为研究热点。.传统的忆阻器通常是采用从上至下依次为顶电极层、中间功能层(或称中...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。