技术编号：3442561
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种坩埚，特别是涉及一种用于太阳能级多晶硅制备中的具有涂 层的坩埚。背景技术由于西门子法多晶硅提纯技术生产成本高，近年来，采用冶金法提纯制备太阳能 级多晶硅的技术获得了广泛的重视。冶金法提纯技术需经过硅材料的精炼和铸锭，采用的 装料容器通常为石英坩埚。由于硅的熔点较高，精炼与铸锭耗时较长，在高温下硅液与坩埚 之间长时间接触易发生化学反应。反应一方面导致氧元素及其它杂质元素溶入硅液中，使 硅液受到污染，影响多晶硅的电学性能。另一方面，反应可导致...
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