技术编号：34451780
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及领域半导体领域，尤其涉及一种用于氮化物半导体器件的钝化层制备方法及器件制备方法。背景技术.由于外延工艺中产生的大量杂质和缺陷，使得氮化物半导体器件势垒层的表面通常存在着大量的陷阱态。在器件开关过程中，这些陷阱的动态充放电过程，会导致导通电阻增大，输出电流下降等现象，从而使器件性能发生退化，这称之为“电流崩塌”现象。为了抑制这种负面效应，表面钝化是被广泛使用的技术手段。一种非常有效的钝化材料是氮化铝(aln)，单晶aln层中存在因极化效应产生的高密度正电荷，可以补偿氮化物表面的深能...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。