技术编号：34459950
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及功率半导体技术领域，尤其涉及一种具有半超结结构的快恢复二极管。背景技术.在功率半导体器件的研究中，高反向击穿电压和低正向电阻是主要的研究方向，但这两者的性能指标是相互制约，高击穿电压需要减少漂移区掺杂，但这样会使正向导通电阻增加。超结结构的提出，打破了传统硅在击穿电压和导通电阻之间的极限。在超结结构中，通过在n型外延层中加入p型掺杂，使得超结器件加反向电压时，可以在水平方向上产生电场，当n型外延层和p型区达到电荷平衡时，漂移区电荷耗尽，使得电场在漂移区内均匀分布，由此可以大幅提高...
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