技术编号：34488463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件.相关申请的交叉引用.本申请要求于年月日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请no.--的优先权，其内容通过引用整体合并于此。技术领域.本发明涉及半导体器件，尤其涉及包括多桥沟道场效应晶体管(mbcfettm)的半导体器件。背景技术.作为用于增加半导体器件的密度的微缩技术，已经提出了其中在衬底上形成鳍型或纳米线型多沟道有源图案(或硅体)并且在多沟道有源图案的表面上形成栅极的多栅极晶体管。.因为多栅晶体管使用三维(d)沟道，所以可以促进微...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。