技术编号：3451559
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种多晶硅的提纯制备方法，特别涉及一种去除金属硅中的磷杂质而 制备高纯多晶硅的方法。背景技术硅材料具有元素含量丰富、化学稳定性好、无环境污染等优点，又具有良好的半导 体材料特性，是半导体工业中最重要且应用最广泛的元素半导体材料，是微电子工业和太 阳能光伏工业的基础材料。多晶硅生产多年来一直以提高纯度、综合利用降低成本为宗旨，其纯度达11个 “9”，以满足半导体级多晶硅的需要。而太阳能用多晶硅的纯度为6个“9”以上就可满足， 要求磷含量不高于0. ...
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