技术编号:34575670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。提高器件抗浪涌能力的sgt mosfet结构、方法及结构制备方法技术领域.本发明属于mosfet领域,具体涉及一种提高器件抗浪涌能力的sgt mosfet结构、方法及sgt mosfet结构制备方法。背景技术.由于sgt mosfet内阻较低,开关速度较快,可以使电源系统效率大幅提升,因此,sgt(屏蔽栅)mosfet被广泛应用在消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。但在一些特殊应用中,如热插拔电路,在sgt mosfet导通工作时电源系统会突然出现高的浪涌电流,此时的浪涌电流很容易导致sg...
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