技术编号:34582525
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种抗反向导通电流的凹栅增强型gan hemt及制作方法技术领域.本发明涉及凹栅增强型gan hemt领域,尤其涉及一种抗反向导通电流的凹栅增强型gan hemt及制作方法。背景技术.凹栅增强型gan hemt凭借其击穿电压高和导通电阻小等优势在功率器件的应用上具有取代si基器件得巨大潜力。除了击穿电压高和导通电阻小等优势外,凹栅增强型gan hemt也使得无源器件在电力电子装置中更加小型化、轻量化。其中,凹栅技术是指在器件制备过程中,将栅下的势垒层刻蚀掉,这样使得整个沟道的二维电子气浓度降...
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