技术编号:34599069
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体领域,具体涉及一种电镀系统及电镀方法。背景技术.采用铟作为热界面材料链接硅基芯片何散热器的过程中,由于铟无法润湿硅,通常采用pvd工艺在硅的背面沉积ti/niv/au层并且在散热器铜表面镀上ni/au层,通过铟能够很好地润湿ni或niv的性能从而实现链接。然而,铟的表面氧化会极大的导致润湿性降低,而半导体器件采用铟作为热界面材料的制备工艺通常需要精力多次回流焊,在金层沉积之前ni或niv层的任何轻微氧化都会导致回流过程中的不可焊接。此外,ni/au的电镀过程需要多个清洗过程...
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