技术编号：34614448
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及光刻胶刻蚀液、微同轴光刻胶牺牲层释放方法及相关设备。背景技术.微同轴传输技术是一种基于mems(micro-electro-mechanical systems，微机电系统)微机械加工工艺的射频传输技术，具有超宽带、无色散、低损耗、高功率容量、高隔离度等特点，在高性能雷达和空间通信等领域具有非常广阔的应用前景。目前结构的制备方法是先在硅片上进行氧化形成氧化层，在氧化硅膜层上进行种子层溅射，再通过光刻来定义图形，多次循环进行搭建整体的微同轴结构，最后进行光刻...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。