技术编号：34617106
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体仿真技术领域，特别涉及一种半导体功率器件特性的版图结构仿真设计方法。背景技术.目前，半导体技术不断地发展到更小的特征尺寸，例如纳米、纳米甚至更小。集成电路(ic)设计和制造技术已遭遇瓶颈，需要更多的设计调整，还需要设计和制造之间的互动。.现代器件的精确仿真需要考虑在光刻和蚀刻工艺之后实际器件几何形状的复杂性，尤其是当沟道长度缩短到nm以及以下的时候。器件的性能被认为与常规ic设计流程中被设计师所期望的大相径庭。传统的设计缺乏从制造方面对光刻效应以及图案化几何操...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。