技术编号:34623615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种提升沟槽型sic mosfet器件开关速度的方法技术领域.本发明属于半导体器件技术领域,尤其涉及一种提升沟槽型sic mosfet器件开关速度的方法。背景技术.一般地,sic mosfet器件与si mosfet器件相比具有低的导通电阻、耐高温、高的开关速率等特点,在汽车、交通、高压变频等领域有很大的应用优势。但是,沟槽型sic mosfet器件的沟槽底部的结构特点却仍然导致沟槽型sic mosfet器件的开关速度变慢,而决定开关速度快慢的是沟槽底部电容和栅极电荷。.沟槽型sicmos...
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