技术编号:34626331
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及蚀刻气体、蚀刻方法以及半导体元件的制造方法。背景技术.在半导体的制造工序中,在氧化硅、氮化硅等硅化合物的图案化、除去中可采用干式蚀刻。对于干式蚀刻要求高的蚀刻选择性。即,要求能够与用于图案化的掩模相比选择性地蚀刻硅化合物。.曾提出了满足该要求的各种蚀刻气体,例如在专利文献中公开了一种含有六氟异丁烯的蚀刻气体。六氟异丁烯在蚀刻中反应而聚合物化,掩模由该聚合物的膜被覆而被保护,因此容易得到高的蚀刻选择性。.在先技术文献.专利文献.专利文献:日本国专利公报第号...
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