技术编号:34662504
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。.本发明涉及半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种超结(super junction)器件;本发明还涉及一种超结器件的制造方法。背景技术.超结(super junction)结构就是交替排列的n型柱和p型柱的结构。如果用超结结构来取代垂直双扩散mos晶体管(vertical double-diffused metal-oxide-semiconductor,vdmos)器件中的n型漂移区,在导通状态下提供导通通路(只有n型柱提供通路,p型柱不提供),在截止状态下承受反偏电压,就形成了超结金属...
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