技术编号:34664581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种超结igbt功率器件及制备方法技术领域.本发明实施例涉及功率半导体器件技术领域,尤其涉及一种超结igbt功率器件及制备方法。背景技术.近几年,超结igbt功率器件是学术界研究的热门功率半导体器件。超结igbt是一种通过在传统igbt器件结构的漂移区中设置依次排列的p柱和n柱而形成的新型igbt器件。根据依次排列的p柱电位的不同,超结igbt功率器件存在两类基本结构。其中,第一类结构是p柱与p型基区相连接的超结igbt,第二类结构是p柱与p型基区不连接的超结igbt。第一类结构的超结igb...
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