技术编号：34666921
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种p-gan欧姆接触电极及其制备方法和电子元件技术领域.本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种p-gan欧姆接触电极及其制备方法和电子元件。背景技术.第三代半导体材料氮化镓(gan)具有禁带宽度大、饱和速度快、迁移率高和热稳定性好等特性，是应用于高压、高频、高温和抗辐射等领域的理想材料，已在g通信、快充市场、国防工业等诸多领域得到了广泛应用，并在无人驾驶、智能电网和新能源汽车等领域展现出巨大的应用前景。gan 功率器件目前主要为分立晶体管，为避免驱动器芯片与gan器件之间产生的寄生电感引...
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