技术编号：34679374
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。gan基器件欧姆接触的制备方法技术领域.本发明涉及gan基电子器件制备技术领域，特别是涉及一种gan基器件欧姆接触的制备方法。背景技术.第三代半导体材料氮化镓(gan)因其具有较宽的禁带宽度和较高的电子饱和速度，成为高压和高频应用的理想候选材料。氮化镓半导体能够承受比硅半导体更强的电流和更高的电压，可实现更高的功率密度，因而在雷达、快充以及dc-dc换能器上展现出充足的市场潜力，并将成为具有成本竞争力的新一代消费电力电子产品。.在gan电力电子器件制造过程中，利用等离子化的气体原子对材料进...
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