技术编号：34680145
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本文所描述的主题的实施例大体上涉及晶体管装置，并且更具体地说，涉及半导体功率晶体管的场板结构。背景技术.高功率场效应晶体管(fet)装置应用于广泛多种电子组件和系统中。多年来，在提高用于在射频(rf)通信系统中提供放大的功率fet的增益、效率和其它特性方面取得了各种进展。例如，一个此类进展是在rf功率fet的栅极近处包括源极连接的场板，这可有助于增大击穿电压和减小高场捕集效应。.场板的长度是用于确定rf功率fet的总体特性和性能的重要参数。例如，当操作频率增大时，最优场板长度减小。当所要...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。