技术编号：3470736
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件生产制造领域，特别涉及一种卧式炉管及其生产原位参杂 多晶硅的方法。背景技术原位参杂多晶硅现已被广泛的应用到IC和太阳能电池生产中。在现今的集成电 路和太阳能电池制造中，原位掺杂多晶硅常用作元件的导电材料，如CMOS中栅氧的导电 层，它的优点是可以通过调节PH3和SiH4的流量来满足不同电阻率的需求，原位参杂多晶 硅生产过程中多晶硅沉积和参杂这两步同时进行，从而达到产品所需的要求。这种工艺具 有电阻可控以及生产周期短等优点。目前业界在6寸...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。