技术编号：3474526
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示了一种石墨烯薄膜的制备方法及设备，所述方法包括如下步骤提供石墨烯生长衬底，将所述衬底置于加热机构加热形成的高温区域；在垂直于衬底并沿衬底需要沉积石墨烯薄膜的表面法线方向依次施加加速电场和筛选电场，衬底作为加速电场的正极；加热衬底、筛选电场区域和加速电场区域；通入含碳气体作为碳源，通过控制温度、气压和/或加热电源的频率将含碳气体电离成等离子体；等离子体中带负电离子在筛选电场的作用下被筛选，由于带电量的不同，碳离子被筛选出来，并在加速电场的作用下撞击...
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