技术编号：34754528
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种场效应晶体管的制备方法及场效应晶体管。背景技术.ldd(lightly doped drain，轻掺杂漏极)技术是通过在沟道区中靠近漏极的附近设置一个低掺杂的漏区，让该低掺杂的漏区也承受部分电压，从而缓解漏端电场，以及改善热载流子效应；同时，一般采用较高剂量的ldd注入来减小延伸电阻，降低导通电阻ron。.然而，采用较高剂量的ldd注入会造成栅极与ldd区的重叠区域较大，band-to-band隧穿电流(即带间隧穿电流)较高，从而使得器件的耐压较低...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。