技术编号：34763807
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。.本发明属于纳米材料异质结构应用技术领域，具体涉及一种双层石墨烯逻辑反相器。背景技术.年，在半导体集成电路方面，英特尔公司的创始人摩尔总结了集成度随年份增长的数据，得出了摩尔定律，即平均每过十八个月，芯片上集成的平均晶体管数目将会增加一倍。但是，si场效应晶体管在随着摩尔定律预测的比例缩小的同时，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，si场效应晶体管也面临着一系列的挑战。比如短沟道效应、热载流子注入效应和栅极氧化层漏电等问题。探索新材料、新器件、新工艺来取代...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
该类技术注重原理思路，无完整电路图，适合研究学习。